投影露光装置

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a projection exposure apparatus for forming a pattern by using a reticle, which is capable of transferring a mask pattern on a substrate with high precision while improving the throughput.SOLUTION: In a projection exposure apparatus using a reticle R where a plurality of reticle fields F1 to F4 with different pattern array numbers from each other are formed, a calculation region is defined for a shot region formed on a substrate, and a maximum-size reticle field with a positioning error amount of equal to or less than an allowable error is selected.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】レチクルを用いてパターンを形成する投影露光装置において、スループットを向上させながら、マスクパターンを基板に精度よく転写する露光装置を提供する。 【解決手段】パターン配列数のそれぞれ異なる複数のレチクルフィールドF1〜F4を形成したレチクルRを使用する投影露光装置において、基板に形成されたショット領域に対し演算領域を定め、位置合わせ誤差量が許容誤差以下で最大サイズのレチクルフィールドを選択する。 【選択図】図4
【課題】レチクルを用いてパターンを形成する投影露光装置において、スループットを向上させながら、マスクパターンを基板に精度よく転写する露光装置を提供する。【解決手段】パターン配列数のそれぞれ異なる複数のレチクルフィールドF1〜F4を形成したレチクルRを使用する投影露光装置において、基板に形成されたショット領域に対し演算領域を定め、位置合わせ誤差量が許容誤差以下で最大サイズのレチクルフィールドを選択する。【選択図】図4

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