Semiconductor module and manufacturing method therefor

半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法

Abstract

【課題】絶縁基板の主面と、該絶縁基板の主面に配置された導電板の側面と、の交差部における、局所的な電界集中を緩和して、絶縁耐圧を向上させた半導体モジュール、及び該半導体モジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体モジュール100は、絶縁基板1、前記絶縁基板の第1の主面上にあって前記絶縁基板の外縁よりも内側に配置された第1の導電板2、前記第1の主面に対向する前記絶縁基板の第2の主面上にあって前記絶縁基板の外縁よりも内側に配置された第2の導電板3を有する絶縁回路基板4を備える。そして、前記絶縁基板の第1の主面と前記第1の導電板の側面との交差部Aは、イオン液体を含むイオンゲル5によって被覆されている。 【選択図】図1
【課題】絶縁基板の主面と、該絶縁基板の主面に配置された導電板の側面と、の交差部における、局所的な電界集中を緩和して、絶縁耐圧を向上させた半導体モジュール、及び該半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体モジュール100は、絶縁基板1、前記絶縁基板の第1の主面上にあって前記絶縁基板の外縁よりも内側に配置された第1の導電板2、前記第1の主面に対向する前記絶縁基板の第2の主面上にあって前記絶縁基板の外縁よりも内側に配置された第2の導電板3を有する絶縁回路基板4を備える。そして、前記絶縁基板の第1の主面と前記第1の導電板の側面との交差部Aは、イオン液体を含むイオンゲル5によって被覆されている。【選択図】図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module and a manufacturing method therefor, having an improved withstand voltage by mitigating the local concentration of an electric field at an intersection part between a principal surface of an insulation substrate and a side face of a conductive board disposed on the principal surface of the insulating substrate.SOLUTION: A semiconductor module 100 includes an insulation circuit board 4 which includes: an insulating substrate 1; a first conductive plate 2 disposed on a first principal plane of the insulating substrate and inside than the outer edge of the insulating substrate; and a second conductive plate 3 disposed on a second principal plane of the insulating substrate which faces the first principal plane and inside than the outer edge of the insulating substrate. Further, an intersection part A between the first principal plane of the insulating substrate and the side face of the first conductive plate is coated by an ion gel 5 which includes an ion liquid.SELECTED DRAWING: Figure 1

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